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新闻

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2022-06

MP6001与MP2307升降压芯片完整信息介绍

近四个月以来,变化最大的是东芝及英特尔。因为现阶段三星在NAND方面领先,估计平均领先两年左右,而目前它的3D NAND产出已经占它NAND的比重达40%。但是东芝正后来居上,因为它的64层提前量产,或者与三星同步,但是它的目标更为宏大,3D NAN

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2022-06

MP2319与MP9917升降压芯片完整信息介绍

3D NAND芯片是业内首款基于浮栅技术的移动产品,也是业内最小的3D NAND存储芯片 ,面积只有60.217 mm2,同时采用UFS 2.1标准的存储设备,让移动设备实现一流的顺序读取性能;基于3D NAND的多芯片封装(MCP)技术和低功耗LPD

25

2022-06

MP2319与MP6616升降压芯片完整信息介绍

从3D NAND的技术与产能方面寻求突破,近期几大厂商都在加大力度 。日前,英特尔大连厂传出消息,经过仅8个多月的努力 ,英特尔大连厂非易失性存储制造新项目于今年7月初实现提前投产 。去年10月,英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非

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2022-06

MP2456与MP6631升降压芯片完整信息介绍

2D NAND在进入1xnm节点之后 ,器件耐久性和数据保持特性持续退化,单元之间的耦合效应难以克服,很难解决集成度提高和成本控制的矛盾,进一步发展面临瓶颈。发展3D NAND已经是大势所趋。近期全球3D NAND的发展迎来少见的红火,之前认为仅三星独

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2022-06

MP2459与MP4572升降压芯片完整信息介绍

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后 ,在技术上每年都会前进一步,由24层、32层、48层 ,到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外 ,有分析师预测在2018年中期,全球NAND闪存市

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2022-06

MP6909与PDS5100Q升降压芯片介绍

中国集成电路产业已经进入了从赶超到独创的新阶段 。新形势下,我国集成电路产业更应重视创新,尤其是原始创新和集成创新。过去,我国集成电路采取“引进、消化、吸收、再创造”但随着制造工艺的演进和我国集成电路产业的发展 ,一方面加快自身研发,另一方面实施并购重组





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