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从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。日前
，英特尔大连厂传出消息
，经过仅8个多月的努力
，英特尔大连厂非易失性存储制造新项目于今年7月初实现提前投产

。去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。

一、MP2319升降压芯片完整信息介绍

• 3A、18V、650kHz 高效率同步降压变换器

• 8 引脚 TSOT23 封装

二
、MP6616升降压芯片完整信息介绍

• 集成嵌入式霍尔效应传感器的 18V
、2A
、单相直流无刷电机驱动器

• 2mT 最小灵敏度嵌入式霍尔效应传感器

• 3.3V 至 18V 工作输入电压(VIN) 范围

• 2A 连续输出电流(IOUT)

• 100mΩ 集成功率 MOSFET

• 最大可配置速度
：40000rpm

• 可配置最小速度和启动占空比

• 闭环或开环速度控制

• 闭环模式下提供高速精度

• 最大可配置软换向角：45°

• 最大可配置霍尔偏移角：±45°

• 最大四级可配置电流限值：4A

• 脉宽调制（PWM）输入范围
：1kHz 至 100kHz

• 可配置的软启动时间（tSS）

• 固定开关频率（fSW）：27kHz

• 待机模式

• 自动恢复转子堵转保护

• 自动恢复过温关断保护

• 内置输入过压保护（OVP）
、欠压锁定（UVLO）保护和自动恢复

• 采用 QFN-10（2mmx3mm）封装