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3D NAND芯片是业内首款基于浮栅技术的移动产品
，也是业内最小的3D NAND存储芯片，面积只有60.217 mm2
，同时采用UFS 2.1标准的存储设备，让移动设备实现一流的顺序读取性能;基于3D NAND的多芯片封装(MCP)技术和低功耗LPDDR4X，使得该闪存芯片比标准的LPDDR4存储的能效更优
。此外
，与相同容量的平面NAND芯片相比

，美光3D NAND芯片的尺寸可以缩小30%
。

一、MP2319升降压芯片完整信息介绍

• 3A
、18V、650kHz 高效率同步降压变换器

• 8 引脚 TSOT23 封装

二、MP9917升降压芯片完整信息介绍

• 26V, 0.8A, 600kHz, High-Efficiency, Synchronous, Step-down Converte

• Wide 7.5V to 26V Operating Input Range

• 0.8A Load Current

• 120mΩ/60mΩ Low RDS(ON) Internal Power MOSFETs

• Internal Power-Save Mode for Light-Load

• 600kHz Fixed Switching Frequency at CCM

• Optimized for Low EMI

• Internal Soft Start

• Over-Current Protection (OCP) and Hiccup

• Thermal Shutdown

• Output Adjustable from 3.3V

• Available in a TSOT23-6 Package