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近四个月以来 ，变化最大的是东芝及英特尔。因为现阶段三星在NAND方面领先 ，估计平均领先两年左右 ，而目前它的3D NAND产出已经占它NAND的比重达40%。但是东芝正后来居上 ，因为它的64层提前量产 ，或者与三星同步 ，但是它的目标更为宏大，3D NAN
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3D NAND芯片是业内首款基于浮栅技术的移动产品 ，也是业内最小的3D NAND存储芯片，面积只有60.217 mm2，同时采用UFS 2.1标准的存储设备 ，让移动设备实现一流的顺序读取性能;基于3D NAND的多芯片封装(MCP)技术和低功耗LPD
2022-06
从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。日前，英特尔大连厂传出消息，经过仅8个多月的努力，英特尔大连厂非易失性存储制造新项目于今年7月初实现提前投产。去年10月 ，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非
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2D NAND在进入1xnm节点之后，器件耐久性和数据保持特性持续退化，单元之间的耦合效应难以克服 ，很难解决集成度提高和成本控制的矛盾 ，进一步发展面临瓶颈 。发展3D NAND已经是大势所趋。近期全球3D NAND的发展迎来少见的红火，之前认为仅三星独
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自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步 ，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层 。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND 。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市
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中国集成电路产业已经进入了从赶超到独创的新阶段。新形势下，我国集成电路产业更应重视创新，尤其是原始创新和集成创新。过去 ，我国集成电路采取“引进、消化、吸收、再创造”但随着制造工艺的演进和我国集成电路产业的发展，一方面加快自身研发，另一方面实施并购重组
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