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MPM3510与MPM3610升降压芯片特点介绍

时间:2022-06-29 预览:725

MPM3510与MPM3610升降压芯片特点介绍

在《国家集成电路产业发展纲要》发布之后,我国加快了产业布局。除晶圆制造之外 ,作为集成电路产业链后段关键环节的封装测试也获到快速发展。2015年在国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)的支持下 ,长电科技收购了原全球排名第四的封测厂星科金朋 ,通富微电也收购了AMD的两座封测厂。近日又有消息称,通富微电将收购全球排名第二大的封装厂艾克尔(Amkor)。无论这个传闻确实与否,中国大陆封测产业正在迅速壮大 ,已经成为全球封测业的三强之一。

一、MPM3510升降压芯片特点介绍

• 36V/1.2A 模块 集成电感同步降压变换器 QFN-19 

• 成套开关电源

• 4.5V 至 36V 宽输入工作电压范围

• 1.2A 连续负载电流

• 内部功率 MOSFETs 80mΩ/50mΩ 低导通阻抗(RDS(ON))

• 1.15MHz 固定开关频率

• 800kHz 至 2MHz 同步频率

• 输出电压可调节最低至 0.8V

二 、MPM3610升降压芯片特点介绍

• 集成电感的21V/1A 同步降压变换器模块

• 输入电压范围:4.5V 至 21V

• 连续负载电流 :1.2A

• 200µA 低静态电流

• 内置90mΩ/40mΩ低导通电阻 Rds(on) 功率 MOSFET

• 最低0.8V的可调输出电压采用 QFN-20  封装






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