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ZXMN6A08E6TA与TLV431BQFTA升降压芯片的性能特点

时间:2022-06-27 预览 :640

ZXMN6A08E6TA与TLV431BQFTA升降压芯片的性能特点

芯片厂商具备各自的竞争优势,有望加快带动无人机市场的成本优化与智能化。例如,高通传统优势为无线通讯技术和低功耗计算;对比目前主要的无人机芯片解决方案,高通snapdragon flight 的CPU 尺寸最小、主频最高。英特尔RealSense 实感技术快速推进 ,未来在环境感知、测量等领域存在精度优势。无人机芯片市场的激烈竞争有利于发挥各个厂商的技术优势,产生竞争的溢出效应 ,从而推动无人机产品技术进步 。

一、ZXMN6A08E6TA升降压芯片的性能特点

• N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

• V(BR)DSS   60V

• RDS(ON)  80mΩ @ VGS=10V   ID TA = +25°C   3.5A

• RDS(ON)  150mΩ @ VGS=4.5V  ID TA = +25°C   2.5A

二 、TLV431BQFTA升降压芯片的性能特点

• 1.24V COST EFFECTIVE SHUNT REGULATOR

• Low-Voltage Operation VREF = 1.24V

• Temperature Range -40 to +125°C

• Reference Voltage Tolerance at +25°C

• 0.5% TLV431B

• 4mV (0°C to +70°C) 6mV (-40°C to +85°C) 11mV (-40°C to +125°C

• 80µA Minimum Cathode Current

• 0.25Ω Typical Output Impedance

• Adjustable Output Voltage VREF to 18V






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