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新闻

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2022-06

MP2491与PDS5100HQ升降压芯片完整信息介绍

曾经有报道声称GlobalFoundries 一直在秘密研发自家的10nm 制作工艺，为的就是摆脱对三星的依赖——目前GlobalFoundries 仍然需要获得三星的授权来生产处理器 。而且，报道还表示GlobalFoundries 成功研发出10n

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2022-06

MP24943与TLV431BQFTA升降压芯片完整信息介绍

英特尔前段时间取得ARM技术授权震惊了不少人，因为这样一来意味着英特尔可以为2018年款旗舰iphoness的处理芯片作准备了。然而 ，英特尔并不是唯一一家有可能会加入苹果芯片供应阵营的新厂商。当全球芯片代工产业逐渐迈向10nm制程时代时 ，芯片代工大厂Gl

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2022-06

MP2497与SMBJ36CA升降压芯片完整信息介绍

3D NAND技术复杂 ，由于成品率低 ，导致成本高 。依三星的技术水平，估计它的48层3D NAND的成本已经接近2D NAND ，未来64层时可能会占优势。而其他的各厂家现阶段仍然需要克服成本这一难题 。这可以给中国存储厂商一些时间。 但是，不管如何，到2

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2022-06

MP2610与BZX84C5V6Q升降压芯片完整信息介绍

近四个月以来，变化最大的是东芝及英特尔。因为现阶段三星在NAND方面领先，估计平均领先两年左右，而目前它的3D NAND产出已经占它NAND的比重达40% 。但是东芝正后来居上，因为它的64层提前量产，或者与三星同步，但是它的目标更为宏大，3D NAN

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2022-06

MP26123与DDZ9698升降压芯片完整信息介绍

3D NAND芯片是业内首款基于浮栅技术的移动产品，也是业内最小的3D NAND存储芯片，面积只有60.217 mm2 ，同时采用UFS 2.1标准的存储设备，让移动设备实现一流的顺序读取性能;基于3D NAND的多芯片封装(MCP)技术和低功耗LPD

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2022-06

MP2615与DMTH6016LFVWQ升降压芯片完整信息介绍

从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。日前，英特尔大连厂传出消息，经过仅8个多月的努力，英特尔大连厂非易失性存储制造新项目于今年7月初实现提前投产。去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非




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