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AZ431AZ-ATRE1与MP2161GJ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-28 预览 :977

AZ431AZ-ATRE1与MP2161GJ-Z升降压芯片的特性

受智能手机、智能卡和堆叠封装等消费类应用驱动,近年来对薄晶圆的需求日益增长。据估算,2015年,用于MEMS器件、CMOS图像传感器、应用硅通孔(TSV)技术的存储器和逻辑器件以及功率器件的薄晶圆数量超过了1650万片,这个数量相当于8英寸晶圆投入总片数(wafer starts per year , WSPY) 。这些薄晶圆主要贡献于CMOS图片传感器,其次是功率器件。2015年到2020年期间,薄晶圆的复合年增长率预计为14%,预计到2020年,薄晶圆的数量将达到峰值的3200万片,相当于2020年8英寸晶圆投入总片数。

更薄的晶圆能够带来众多好处,包括超薄的封装,以及由此带来更小的尺寸外形,还包括改善的电气性能和更好的散热性能。

一 、AZ431AZ-ATRE1升降压芯片的特性

• 可调精密并联调节器

• VKA  40V 

• IKA  -100 to 150 Ma

• IREF  10 mA

• PD  Z, R Package: 770   N Package: 370mW

二、MP2161GJ-Z升降压芯片的特性

2A, 6V, 1.5MHz, 17uA静态电流,恒定导通时间控制模式(COT)高效率同步降压变换器 ,带PG并采用 TSOT23-8 封装 。






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