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时间:2022-07-26 预览:968
对国内MOCVD设备企业带来竞争压力,短期内技术难以实现转移。中国资本收购爱思强后,将有助于爱思强继续扩大国内市场,加强与国内芯片企业的合作,进一步挤压国产MOCVD设备的市场和利润空间,国产设备未来将面临更大的竞争压力。从技术方面看,一方面,截至2015年年底,爱思强共有MOCVD设备相关专利组合189项,其中包括多项LED用MOCVD设备核心基础专利,所有权仍为爱思强,国内企业研发过程中难以绕过;另一方面,收购要约中指出爱思强的三大技术研发中心仍保持在德国、英国和美国,核心技术团队不变,仅于2011年在中国和苏州纳米所建立了MOCVD培训中心,用以提供技术支持,爱思强正在布局的OLED、石墨烯、碳纳米管等前沿薄膜生长设备技术,短期内难以转移到国内。
一、MP2162GQH-Z升降压芯片的特性
MP2162 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关变换器。在 2.5V 至 6V 输入电压范围内,它可以实现 2A 的连续输出电流,且具有出色的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。
二、MP2303升降压芯片的特性
• 3A, 28V, 360KHz同步整流降压变换器
• 输出电流:3A
• 采用低 ESR 输出陶瓷电容可稳定工作
• 宽工作输入电压范围:4.7V 至 28V
• 360kHz 固定频率
• 集成MOSFET开关管
• 逐周期过流保护
• 可调输出电压:0.80V 至 25V
• 输入欠压锁定保护
• 效率高达95%
• 采用 8引脚 SOIC封装和 PDIP-8 封装
• 可调软启动功能