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一、ZXMN10A08E6TA升降压芯片的特性

产品概要

* V(BR)DSS 最大 RDS(on) 最大 ID TA = 25C 100V

* 250mΩ @ VGS = 10V 1.9A

* 300mΩ @ VGS = 6V 1.68A

描述和应用

该 MOSFET 具有独特的结构，结合了以下优点：

* 低导通电阻和快速开关，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

* DC - DC 转换器

* 电源管理功能

* 断开开关

* 电机控制

特点和优势

* 低导通电阻

* 快速切换速度

* 完全无铅且完全符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含卤素和锑。 “绿色”装置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

机械数据

* 案例：SOT26

* 外壳材料

：模制塑料，“绿色”模塑料。UL 易燃性分类等级 94V-0

* 湿气敏感性：根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子
：表面处理 – 在铜引线框架上退火亚光锡。可焊接符合 MIL-STD-202，方法 208

* 重量：0.015 克（近似值）

二、MP2233升降压芯片的特性

• 3A，16V，1.4MHz
，高效率同步降压变换器

• 宽工作输入电压范围：4.5V 至 16V

• 内置80mΩ/30mΩ 低导通电阻 Rds(on) 功率 MOSFET

• 专用开关损耗降低技术

• 高效率同步整流工作模式

• 1.4MHz 固定开关频率

• 300kHz 至 3MHz 外部时钟同步能力

• TSOT-23 封装