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时间:2022-07-19 预览:664
一、FZT651TA升降压芯片的特性
特征
* BVCEO>60V
* IC=3A高持续电流
* ICM=6A峰值脉冲电流
* 低饱和电压VCE(sat)<300mV@1A
* 补充PNP类型:FZT751
* 无铅饰面;符合RoHS(注1和2)
* 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
* 符合AEC-Q101高可靠性标准
机械数据
* 案例:SOT223
* 外壳材料:模压塑料。“绿色”模压化合物;UL易燃性等级94V-0
* 湿度敏感度:根据J-STD-020,为1级
* 端子:表面处理-哑光镀锡引线;可根据MIL-STD-202,方法208
* 重量:0.112克(近似值)
二、MP1612升降压芯片的特性
• 2A 同步降压变换器
• 低静态电流:21μA
• 开关频率为 1.2MHz
• 80mΩ 和 40mΩ 内部功率 MOSFET 开关管
• FB 精度为 1%
• 宽工作输入电压范围:2.5V 至 5.5V
• 输出电压可调节低至 0.6V
• SOT583 封装