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一
、DMT8012LPS-13升降压芯片的特性

BVDSS RDS(ON) ID TC = +25°C 80V

17mΩ @ VGS = 10V 65A

21mΩ @ VGS = 4.5V 59A

描述和应用

该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能，使其是高效电源管理应用的理想选择
。

* 同步整流器

* 背光

* 电源管理功能

* DC-DC 转换器

特征

* 转换效率高

* 低 RDS(ON) – 最大限度地减少状态损失

* 低输入电容

* 快速切换速度

* <1.1mm 封装外形 – 非常适合薄型应用

* 无铅表面处理
；符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含卤素和锑

。 “绿色”装置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

机械数据

* 案例
：PowerDI®5060-8

* 外壳材料
：模压塑料，“绿色”模塑料；UL 易燃性分类等级 94V-0

* 湿气敏感性：根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子表面处理 - 在铜引线框架上退火的亚光锡；可焊接符合 MIL-STD-202

，方法 20

二
、DMN6068LK3-13升降压芯片的特性

• V(BR)DSS   60V

• RDS(on) ID TA = +25°C    68mΩ @ VGS = 10V 8.5A

• RDS(on) ID TA = +25°C   100mΩ @ VGS = 4.5V 7.0A