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SBRT3U40P1Q-7与AH3767Q-P-B升降压芯片的特性

时间:2022-07-18 预览:580

SBRT3U40P1Q-7与AH3767Q-P-B升降压芯片的特性

一 、SBRT3U40P1Q-7升降压芯片的特性

产品概要 

@TA = +25°C VRRM (V) IO (A) VF Max (V) IR Max (µA) 40 3 0.49 180

描述

封装在紧凑的热效率 PowerDI®123 中,SBRT3U40P1 提供极低的 VF 和出色的反向泄漏高温下的稳定性 。它非常适合用作整流器MR16 桥式整流器应用中的二极管。

应用

* 桥接二极管

* 阻塞二极管

* 反向保护二极管

特点和优势

* 降低超低正向压降 (VF);更高的效率和冷却器操作 。

* 减少高温反向泄漏;提高可靠性防止高温运行中的热失控故障。

* <1.1mm 的封装外形——非常适合薄型应用。

* 获得专利的超级势垒整流器 SBR® 技术

* 无铅表面处理;符合 RoHS(注 1 和 2)

* 不含卤素和锑 。 “绿色”装置(注 3)

* SBRT3U40P1Q 适用于汽车应用需要特定的变更控制;这部分是 AEC-Q101符合 PPAP 标准并在 IATF 16949 中制造认证的设施。

机械数据

* 案例 :PowerDI123

* 外壳材料:模压塑料“绿色”模塑料;UL 易燃性分类等级 94V-0

* 湿气敏感性:根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子 :表面处理 - 在铜引线框架上退火亚光锡;可焊接符合 MIL-STD-202,方法 208

* 极性:阴极带

* 重量 :0.01 克(近似值)

二 、AH3767Q-P-B升降压芯片的特性

• Automotive-compliant 28V Open-drain Hall Effect Latch

• VDD   32V

• IOUT  60 mA

• PD 550 Mw






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