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DMP6023LFGQ与PDS5100HQ-13D升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-05 预览 :606

DMP6023LFGQ与PDS5100HQ-13D升降压芯片性能介绍

20世纪90年代 ,在“互联网泡沫”破灭之前 ,市场并购的繁荣景象在2000年达到高峰,其总市值达到了3.5万亿美元,2007年,这一数字攀升到4.6万亿美元 。当前,由于央行进一步释放了资金流动性,使得2015年市场并购总值达到了5万亿美元,这可能是衰退之前的最高峰值了。目前,半导体行业的并购狂潮还在延续。2015年,总并购市值达到了1600亿美元 ,其中1000亿美元的并购项目已经交割完成 。

一、DMP6023LFGQ升降压芯片性能介绍

• 60V P沟道增强型MOSFET

• V(BR)DSS -60V

• RDS(ON) max  25mΩ@VGS=-10V-7.7A  33mΩ@VGS=-4.5V -6.8A

• ID max TA = +25°C

二 、PDS5100HQ-13D升降压芯片性能介绍

• 5A高压肖特基势垒整流器

• VR (V) 100

• IF (A) 5.0

• VF MAX (V) @ +25°C  0.71

• IR MAX (mA) @ +25°C 0.0035





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