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ZXMN6A08E6TA与AP4310AMTR升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-05 预览 :625

ZXMN6A08E6TA与AP4310AMTR升降压芯片性能介绍

目前,半导体行业30%的市场由Fabless(无晶圆厂)占据。由Fabless公司合并产生的规模效益是有限的 。如果两个大型半导体公司合并,他们从晶圆制造商、封装和测试厂商那里获得的规模效益折扣没有多大的差异 。通过整合实现的额外规模只增加了少量的额外折扣。

一、ZXMN6A08E6TA升降压芯片性能介绍

• 60V N沟道增强型MOSFET

• V(BR)DSS  60v

• RDS(ON)80mΩ @ VGS=10V  ID  3.5A 150mΩ @ VGS=4.5V  ID 2.5A

二、AP4310AMTR升降压芯片性能介绍

• 双运放和电压基准

• Input Offset Voltage: 0.5mV 

• Supply Current: 75A per OP Amp at 5.0V Supply Voltage  

• Unity Gain Bandwidth:1MHz

• Output Voltage Swing: 0 to VCC-1.5V 

• Power Supply Range: 3 to 36V





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