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“解决中国核心,支持中国未来30年发展。”在25日在江苏镇江举行的“集成电路产业创新(镇江)高端对话”上,中科院微电子所所长、02特约专家组组长叶天春表示,国家重大专项持续推进,我国集成电路产业链建设初步完成,一批企业开始脱颖而出。其次,国家的持续投入对集成电路产业的发展至关重要,在技术上,要走向重视原始创新和集成创新的新道路。中芯国际技术研发顾问吴汉明等详细阐述了行业面临的机遇和挑战,揭示了中国在成熟制程领域的后发优势和在先进制程方面的超车机会。
一、MP8049升降压芯片介绍
• 26V, 5.5A, 双通道全桥驱动器
• 5V 至 26V VDD
• ±5.5A 峰值电流输出
• 高达 1MHz 开关频率
• 受保护的0.14Ω集成功率开关管
• 10ns开关管死区时间
• 所有开关管限流保护
• 桥接负载输出功率:24V, 8Ω 条件下,37W/通道
二、BZT52C43Q-7-F升降压芯片介绍
• SURFACE MOUNT ZENER DIODE
• VZ @ IZT 43V
• IZT 5mA
• IZK 1.0mA
• iR(µA) 0.1
• @VR 32V