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物联网将为集成电路产业带来新的发展动力,大大延长成熟工艺技术和工厂的寿命。物联网对低成本、低功耗、高效率的要求,对集成电路材料、封装和制造提出了新的要求和发展动力,带动了宽带隙半导体材料、SIP封装等技术的发展,使得中国集成电路产业有机会与国际巨头同场竞技。此外,鉴于80%的物联网半导体器件将采用28nm以下的成熟制程,这将大大延长那些8英寸甚至6英寸工厂的寿命,给中国在物联网领域更多的发展机会。成熟的集成电路工艺,使中国在成熟的制造工艺领域,凸显了后发优势。
一、MP2122升降压芯片介绍
• 双路 2A 输出电流同步降压调节器
• 高级轻载模式
• 宽工作输入电压范围:2.7V 至 6V
• 内部集成 80mΩ 和 35mΩ 功率 MOSFET
• 1MHz 固定开关频率
• 可调输出电压,最低至 0.608V
• 采用 TSOT23-8 封装
二、MP1907升降压芯片介绍
• 100V、2.5A 高频半桥栅极驱动
• 驱动 N-通道 MOSFET 半桥
• 100V VBST 电压范围
• 输入信号重叠保护
• 集成自举二极管
• 20ns 的典型延迟
• 小于 5ns 的栅极驱动失配
• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间
• TTL 可兼容输入
• 静态电流小于 150μA
• 关断电流小于 5μA
• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护
• 采用 3×3mm QFN10 封装