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时间:2022-06-23 预览:630
日本在全球新购半导体制造设备市占率超过30%,而在半导体材料的占有率更高达50%,尤其是在封装材料上更是领先;在IC晶圆厂及封装厂皆使用的Photoresist光阻剂上,日本JSR Micro,Inc.及ToK(东京应化工业株式会社)为全球前2大。
一、MP2651升降压芯片的介绍
• I2C 控制、USB PD 6A 升降压充电器 IC,具有 OTG/源模式,适用于 1 至 4 节串联电池应用
• 用于 1 至 4 节串联电池组的升降压充电器 IC
• 4V 至 22V 工作输入电压 (VIN) 范围
• 高达 26V 的可耐受电压,或在使用外部 MOSFET时高达 28V的可耐受电压
• 高达 6A 的输出电流 (IOUT),步进值为 50mA
• 500kHz 至 1.2MHz 可配置开关频率 (fSW)
二、TLV431BQFTA升降压芯片的介绍
• 1.24V COST EFFECTIVE SHUNT REGULATOR
• Low-Voltage Operation VREF = 1.24V
• Temperature Range -40 to +125°C
• Reference Voltage Tolerance at +25°C
• 0.5% TLV431B
• 4mV (0°C to +70°C) 6mV (-40°C to +85°C) 11mV (-40°C to +125°C
• 80µA Minimum Cathode Current
• 0.25Ω Typical Output Impedance
• Adjustable Output Voltage VREF to 18V