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事实上ITRS从2014年的报告中已经开始改变它的预测思路
，认为半导体业中的尺寸缩小是个物理极限，早晚将至
，但是器件小型化可能持续下去
。ITRS的结论
，晶体管器件的栅长到2020年左右已不再沿斜率下降
，而变得平坦。

在最近的IEEE年会论文集中已有文章表示到2021年晶体管尺寸将停止继续缩小。芯片制造商正在寻找其它的方法来增加晶体管的密度，把晶体管的结构由平面型转向垂直型

，例如在存储器中已出现堆叠层存储器，目前已达48层及64层的3D NAND闪存。

一
、MPQ4488升降压芯片的介绍

• 具有可配置频谱扩展功能和双路 USB 

• 充电端口的 36V
、6A、降压变换器
，符合 AEC-Q100 认证

• 支持符合 BC1.2 规范的 DCP 方案
、Apple 3A Divider 模式和 1.2V/1.2V 模式

• 5.1V、5.17V 或 5.3V 可选输出电压（VOUT）

• 100mV 线路压降补偿

• 精确的 USB1/USB2 输出电流限制

• 50kHz 至 2.2MHz 可调开关频率（fSW

• 支持 USB Type-C 5V @ 3A DFP 模式

二
、AH3767Q-P-B升降压芯片的介绍

• Automotive-compliant 28V Open-drain Hall Effect Latch

• VDD   32V

• IOUT  60 mA

• PD 550 Mw