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ZXMN6A08E6TA电源管理芯片的性能特点

时间:2022-06-18 预览:702

ZXMN6A08E6TA电源管理芯片的性能特点

《建设中的新世界: 中国与半导体》中指出 ,尽管去年中国企业在海外并购中投资150亿美元 ,但这笔资金占全球收购2015年的不到10% 。此外,去年全球集成电路企业的资本支出和研发支出达到800亿美元 。

中国对低端芯片的产业政策很有力,但不考虑高端芯片,比如高端嵌入式芯片一直依赖德国、日本的进口 。集成电路投资大 ,投资回报周期长 。因此,政府需要引导资本,引导有魄力的企业、金融机构和社会资本投资集成电路产业,使整个商业周期的长期投资充满后劲。实际上 ,IC行业的大部分领域的投资回报周期都在10年以上 。对资本的耐心恰恰是集成电路产业发展必不可少的要素。

ZXMN6A08E6TA电源管理芯片的性能特点:

• N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

• V(BR)DSS   60V

• RDS(ON)  80mΩ @ VGS=10V   ID TA = +25°C   3.5A

• RDS(ON)  150mΩ @ VGS=4.5V  ID TA = +25°C   2.5A






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